半导体器件极易受到多种污染物的损害。在车间净化工程中这些污染物可归纳为以下四类。分别是:

　　微粒

　　半导体器件，尤其是在车间净化工程加工的高密度的集成电路，易受到各种污染的损害。器件对于污染的敏感度取决于较小的特征图形的尺寸和晶片表面沉积层的薄度。目前的量度尺寸已经降到亚微米级。一微米(µm)是非常小的。一厘米等于10000微米。人的头发的直径为100微米。这种非常小的器件尺寸导致器件极易受到由人员，设备和工艺操作用使用的化学品所产生的存在于空气中的颗粒污染的损害。

　　金属离子

　　半导体器件在整个晶片上N型和P型的掺杂区域以及在精确的N/P相邻区域，都需要具有可控的电阻率。通过在晶体和晶片上有目的地掺杂特定的掺杂离子来实现对这三个性质的控制。非常少量的掺杂物即可实现我们希望的效果。车间净化工程公司想说，在晶片中出现的极少量的具有电性的污染物也会改变器件的典型特征，改变它的工作表现和可靠性参数。

　　细菌

　　细菌是第四类的主要污染物，细菌是在水的系统中或不定期清洗的表面生成的有机物。细菌一旦在器件上形成，会成为颗粒状污染物或给器件表面引入不希望见到的金属离子。

　　化学品

　　在半导体工艺领域第三大主要的污染物是不需要的化学物质。工艺过程中所用的化学品和水可能会受到对芯片工艺产生影响的痕量物质的污染。它们将导致晶片表面受到不需要的刻蚀，在器件上生成无法除去的化合物，或者引起不均匀的工艺过程。氯就是这样一种污染物，它在车间净化工程工艺过程中用到的化学品中的含量受到严格的控制。